FDB3502

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Especificaciones

Número de pieza

FDB3502
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

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Descripción

MOSFET N-CH 75V 6A TO-263AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDB3502.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-263AB
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

47 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.1W (Ta), 41W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

FDB3502CT
FDB350CT
FDB350CT-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

7 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

815pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

15nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

75V
Descripción detallada

N-Channel 75V 6A (Ta), 14A (Tc) 3.1W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Ta), 14A (Tc)

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