FDC3535

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Especificaciones

Número de pieza

FDC3535
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 80V 6-SSOT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDC3535.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SuperSOT™-6
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

183 mOhm @ 2.1A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.6W (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres

FDC3535CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

30 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

880pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

20nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

80V
Descripción detallada

P-Channel 80V 2.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.1A (Ta)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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FDC30N20DZ

Descripción: MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT23-6

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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