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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-matrices > FDC6301N_G

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FDC6301N_G

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Especificaciones

Número de pieza

FDC6301N_G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2 N-CH 25V SUPERSOT6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo

SuperSOT™-6
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Potencia - Max

700mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9.5pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

25V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 220mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

220mA

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