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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-matrices > FDC6327C

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Imagen FDC6327C

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDC6327C

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Especificaciones

Número de pieza

FDC6327C
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N/P-CH 20V SSOT-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDC6327C.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo

SuperSOT™-6
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

80 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Potencia - Max

700mW
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres

FDC6327CCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

325pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.7A, 1.9A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.7A, 1.9A

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