FDD3580

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Especificaciones

Número de pieza

FDD3580
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 80V 7.7A D-PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDD3580.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D-PAK (TO-252AA)
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

29 mOhm @ 7.7A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.8W (Ta), 42W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1760pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

49nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

80V
Descripción detallada

N-Channel 80V 7.7A (Ta) 3.8W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7.7A (Ta)

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