FDD7N60NZTM

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Especificaciones

Número de pieza

FDD7N60NZTM
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDD7N60NZTM.pdf
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D-Pak
Serie

UniFET-II™
RDS (Max) @Id, Vgs

1.25 Ohm @ 2.75A, 10V
La disipación de energía (máximo)

90W (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

FDD7N60NZTMDKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

23 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

730pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

17nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 5.5A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount D-Pak
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A (Tc)

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