FDD850N10LD

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Especificaciones

Número de pieza

FDD850N10LD
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 15.3A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDD850N10LD.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-252-5
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

75 mOhm @ 12A, 10V
La disipación de energía (máximo)

42W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Otros nombres

FDD850N10LD-ND
FDD850N10LDTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

11 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1465pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

28.9nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 15.3A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-252-5
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

15.3A (Tc)

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FDD8453LZ-F085

Descripción: MOSFET N-CH 40V 50A DPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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