FDD86580-F085

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Especificaciones

Número de pieza

FDD86580-F085
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDD86580-F085.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D-Pak
Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

19 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo)

75W (Tj)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

FDD86580-F085CT
FDD86580_F085CT
FDD86580_F085CT-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

40 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1430pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

30nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 50A (Tc) 75W (Tj) Surface Mount D-Pak
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

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