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FDD9511L-F085

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Especificaciones
  • Número de pieza
    FDD9511L-F085
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    PT8P 40V LL DPAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    FDD9511L-F085.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    D-PAK (TO-252)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    21 mOhm @ 25A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    48.4W (Tj)
  • Paquete / Cubierta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1200pF @ 20V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    40V
  • Descripción detallada
    P-Channel 40V 25A (Tc) 48.4W (Tj) Surface Mount D-PAK (TO-252)
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    25A (Tc)

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