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Imagen FDFM2N111

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDFM2N111

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Especificaciones

Número de pieza

FDFM2N111
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDFM2N111.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

MicroFET 3x3mm
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

100 mOhm @ 4A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.7W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-MLP, Power33
Otros nombres

FDFM2N111-ND
FDFM2N111TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

273pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

3.8nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Schottky Diode (Isolated)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 4A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount MicroFET 3x3mm
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Ta)

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