FDG6308P

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Especificaciones

Número de pieza

FDG6308P
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDG6308P.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo

SC-70-6
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Potencia - Max

300mW
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres

FDG6308PCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

153pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 600mA 300mW Surface Mount SC-70-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

600mA

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "FDG6308P".

FDG6306P

Descripción: MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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