FDG6332C

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Especificaciones

Número de pieza

FDG6332C
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDG6332C.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo

SC-70-6
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

300 mOhm @ 700mA, 4.5V
Potencia - Max

300mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres

FDG6332C-ND
FDG6332CTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

113pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 20V 700mA, 600mA 300mW Surface Mount SC-70-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

700mA, 600mA

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "FDG6332C".

FDG6318P

Descripción: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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