FDH038AN08A1

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Especificaciones

Número de pieza

FDH038AN08A1
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 75V 80A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDH038AN08A1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-247
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

3.8 mOhm @ 80A, 10V
La disipación de energía (máximo)

450W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

8665pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

160nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

75V
Descripción detallada

N-Channel 75V 22A (Ta), 80A (Tc) 450W (Tc) Through Hole TO-247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

22A (Ta), 80A (Tc)

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