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AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDH600

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Especificaciones

Número de pieza

FDH600
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1V @ 200mA
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

50V
Paquete del dispositivo

DO-35
Velocidad

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

4ns
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

DO-204AH, DO-35, Axial
Temperatura de funcionamiento - Junction

175°C (Max)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 50V 200mA Through Hole DO-35
Corriente - Fuga inversa a Vr

100nA @ 50V
Corriente - rectificada media (Io)

200mA
Capacitancia Vr, F

2.5pF @ 0V, 1MHz

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