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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > FDI047AN08A0
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FDI047AN08A0

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Especificaciones
  • Número de pieza
    FDI047AN08A0
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    I2PAK (TO-262)
  • Serie
    PowerTrench®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    4.7 mOhm @ 80A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    310W (Tc)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    6600pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    138nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    75V
  • Descripción detallada
    N-Channel 75V 80A (Tc) 310W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)
FDI8441_F085

FDI8441_F085

Descripción: MOSFET N-CH 40V 26A TO-262AB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
FDI33N25TU

FDI33N25TU

Descripción: MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
FDI14-187Q

FDI14-187Q

Descripción: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS

Fabricantes: 3M
Existencias disponibles
FDI18-187Q

FDI18-187Q

Descripción: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS

Fabricantes: 3M
Existencias disponibles
FDI030N06

FDI030N06

Descripción: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
FDI8442

FDI8442

Descripción: MOSFET N-CH 40V 80A TO-262

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
FDI3632

FDI3632

Descripción: MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
FDI2532

FDI2532

Descripción: MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
FDI040N06

FDI040N06

Descripción: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
FDI14-250C

FDI14-250C

Descripción: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250

Fabricantes: 3M
Existencias disponibles
FDI3652

FDI3652

Descripción: MOSFET N-CH 100V 61A TO-262AA

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
FDI045N10A

FDI045N10A

Descripción: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
FDI045N10A-F102

FDI045N10A-F102

Descripción: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
FDI8441

FDI8441

Descripción: MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
FDI18-250Q

FDI18-250Q

Descripción: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250

Fabricantes: 3M
Existencias disponibles
FDI14-250Q

FDI14-250Q

Descripción: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS

Fabricantes: 3M
Existencias disponibles
FDI150N10

FDI150N10

Descripción: MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
FDI10-250Q

FDI10-250Q

Descripción: FM DISCONNECT FULLY NYLON 1=1PC

Fabricantes: 3M
Existencias disponibles
FDI038AN06A0

FDI038AN06A0

Descripción: MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
FDI025N06

FDI025N06

Descripción: MOSFET N-CH 60V 265A TO-262

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles

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