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Imagen FDMC8200

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMC8200

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Especificaciones

Número de pieza

FDMC8200
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A POWER33
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDMC8200.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-Power33 (3x3)
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

20 mOhm @ 6A, 10V
Potencia - Max

700mW, 900mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerWDFN
Otros nombres

FDMC8200TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

10nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A, 12A 700mW, 900mW Surface Mount 8-Power33 (3x3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8A, 12A

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