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Imagen FDMC8554

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMC8554

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Especificaciones

Número de pieza

FDMC8554
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 16.5A POWER33
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDMC8554.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-MLP (3.3x3.3)
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

5 mOhm @ 16.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2W (Ta), 41W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerWDFN
Otros nombres

FDMC8554TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

18 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3380pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

62nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 16.5A (Tc) 2W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

16.5A (Tc)

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