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Imagen FDMC8884-F126

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMC8884-F126

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Especificaciones

Número de pieza

FDMC8884-F126
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V PWR33
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDMC8884-F126.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-MLP (3.3x3.3)
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

19 mOhm @ 9A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.3W (Ta), 18W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerWDFN
Otros nombres

FDMC8884-F126TR
FDMC8884_F126
FDMC8884_F126TR
FDMC8884_F126TR-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

685pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

14nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 9A (Ta), 15A (Tc) 2.3W (Ta), 18W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Ta), 15A (Tc)

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