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Imagen FDME1023PZT

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDME1023PZT

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Especificaciones

Número de pieza

FDME1023PZT
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6-MICROFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDME1023PZT.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Paquete del dispositivo

6-MicroFET (1.6x1.6)
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

142 mOhm @ 2.3A, 4.5V
Potencia - Max

600mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-UFDFN Exposed Pad
Otros nombres

FDME1023PZT-ND
FDME1023PZTTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

405pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

7.7nC @ 4.5V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.6A 600mW Surface Mount 6-MicroFET (1.6x1.6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.6A

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