FDMS003N08C

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Especificaciones

Número de pieza

FDMS003N08C
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

FET ENGR DEV-NOT REL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

FDMS003N08C.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 310µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

Power56
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

3.1 mOhm @ 56A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.7W (Ta), 125W (Tc)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Estado sin plomo

Lead free
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5350pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

73nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

80V
Descripción detallada

N-Channel 80V 22A (Ta), 147A (Tc) 2.7W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount Power56
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

22A (Ta), 147A (Tc)

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Descripción: INTEGRATED CIRCUIT

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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