FDMS1D4N03S

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Especificaciones

Número de pieza

FDMS1D4N03S
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDMS1D4N03S.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 1mA
Vgs (Max)

±16V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-PQFN (5x6), Power56
Serie

PowerTrench®, SyncFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

1.09 mOhm @ 38A, 10V
La disipación de energía (máximo)

74W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

FDMS1D4N03STR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

10250pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

65nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Schottky Diode (Body)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 211A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

211A (Tc)

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FDMS2572

Descripción: MOSFET N-CH 150V 4.5A POWER56

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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