FDMS86101DC

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Especificaciones

Número de pieza

FDMS86101DC
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDMS86101DC.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

Dual Cool™56
Serie

Dual Cool™, PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

7.5 mOhm @ 14.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.2W (Ta), 125W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

FDMS86101DC-ND
FDMS86101DCTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3135pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

44nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 14.5A (Ta), 60A (Tc) 3.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount Dual Cool™56
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

14.5A (Ta), 60A (Tc)

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FDMS86150ET100

Descripción: MOSFET N-CH 100V 16A POWER56

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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