FDN302P

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Especificaciones

Número de pieza

FDN302P
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.FDN302P.pdf
2.FDN302P.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SuperSOT-3
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

55 mOhm @ 2.4A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

500mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

FDN302P-ND
FDN302PTR
Q1148322
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

882pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

14nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 2.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.4A (Ta)

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