FDN86265P

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Especificaciones

Número de pieza

FDN86265P
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
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Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 150V 0.8A 3SSOT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.FDN86265P.pdf
2.FDN86265P.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SuperSOT-3
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

1.2 Ohm @ 800mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.5W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

FDN86265PTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 75V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4.1nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

150V
Descripción detallada

P-Channel 150V 800mA (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

800mA (Ta)

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