FDP083N15A

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Especificaciones

Número de pieza

FDP083N15A
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 150V TO-220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDP083N15A.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220-3
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

8.3 mOhm @ 75A, 10V
La disipación de energía (máximo)

294W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6040pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

84nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

150V
Descripción detallada

N-Channel 150V 83A (Tc) 294W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

83A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Descripción: MOSFET N-CH 100V 120A TO-220

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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