FDP8030L

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Especificaciones

Número de pieza

FDP8030L
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 80A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.FDP8030L.pdf
2.FDP8030L.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220-3
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

3.5 mOhm @ 80A, 10V
La disipación de energía (máximo)

187W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

FDP8030L-ND
FDP8030LFS
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

7 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

10500pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

170nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 80A (Ta) 187W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Ta)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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FDP8441

Descripción: MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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