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Imagen FDPF15N65

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDPF15N65

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Especificaciones

Número de pieza

FDPF15N65
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 650V 15A TO-220F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDPF15N65.pdf
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220F
Serie

UniFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

440 mOhm @ 7.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

38.5W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3095pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

63nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 15A (Tc) 38.5W (Tc) Through Hole TO-220F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Tc)

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