FDPF770N15A

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Especificaciones

Número de pieza

FDPF770N15A
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 150V 10A TO-220F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDPF770N15A.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220F-3
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

77 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)

21W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

765pF @ 75V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

11.2nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

150V
Descripción detallada

N-Channel 150V 10A (Tc) 21W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

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FDPF7N50F

Descripción: MOSFET N-CH 500V 6A TO-220F

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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