FDR842P

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Especificaciones

Número de pieza

FDR842P
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 12V 11A SSOT-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDR842P.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SuperSOT™-8
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

9 mOhm @ 11A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.8W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SMD, Gull Wing
Otros nombres

FDR842P-ND
FDR842PTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5350pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

80nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

P-Channel 12V 11A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Ta)

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