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Imagen FDS4435BZ-F085

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS4435BZ-F085

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Especificaciones

Número de pieza

FDS4435BZ-F085
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDS4435BZ-F085.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

20 mOhm @ 8.8A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Ta)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

FDS4435BZ-F085DKR
FDS4435BZ_F085DKR
FDS4435BZ_F085DKR-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

29 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1845pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

40nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 8.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8.8A (Ta)

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