FDS4897C

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Especificaciones

Número de pieza

FDS4897C
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDS4897C.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

29 mOhm @ 6.2A, 10V
Potencia - Max

900mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

FDS4897CTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

760pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

20nC @ 10V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 40V 6.2A, 4.4A 900mW Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6.2A, 4.4A

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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FDS5670

Descripción: MOSFET N-CH 60V 10A 8-SOIC

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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