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Imagen FDS5690-NBBM009A

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS5690-NBBM009A

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Especificaciones

Número de pieza

FDS5690-NBBM009A
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDS5690-NBBM009A.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

28 mOhm @ 7A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Ta)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

FDS5690-NBBM009ADKR
FDS5690_NBBM009ADKR
FDS5690_NBBM009ADKR-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1107pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

32nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Ta)

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