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Imagen FDS6986AS

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS6986AS

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Especificaciones

Número de pieza

FDS6986AS
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDS6986AS.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

PowerTrench®, SyncFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

29 mOhm @ 6.5A, 10V
Potencia - Max

900mW
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

FDS6986ASDKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

720pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

17nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.5A, 7.9A 900mW Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6.5A, 7.9A

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