FDT86113LZ

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Especificaciones

Número de pieza

FDT86113LZ
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.FDT86113LZ.pdf
2.FDT86113LZ.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-223-4
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

100 mOhm @ 3.3A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.2W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres

FDT86113LZ-ND
FDT86113LZTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

25 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

315pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

6.8nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 3.3A (Tc) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.3A (Tc)

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