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FDY100PZ

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Especificaciones

Número de pieza

FDY100PZ
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 350MA SC-89
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDY100PZ.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SC-89-3
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

625mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SC-89, SOT-490
Otros nombres

FDY100PZTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

12 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

100pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

1.4nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 350mA (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

350mA (Ta)

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