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FDZ191P_P

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Especificaciones

Número de pieza

FDZ191P_P
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-WLCSP
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

85 mOhm @ 1A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.9W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-UFBGA, WLCSP
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

13nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 3A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-WLCSP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Ta)

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