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FFD08S60S-F085

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$0.371
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Especificaciones
  • Número de pieza
    FFD08S60S-F085
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    FFD08S60S-F085.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    2.6V @ 8A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    600V
  • Paquete del dispositivo
    TO-252
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, STEALTH™ II
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    30ns
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Otros nombres
    FFD08S60S-F085CT
    FFD08S60S_F085CT
    FFD08S60S_F085CT-ND
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 600V 8A Surface Mount TO-252
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    100µA @ 600V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    8A
  • Capacitancia Vr, F
    -
  • Número de pieza base
    FFD08S60

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FFD10UP20S

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Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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