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FFSD0665A

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Especificaciones

Número de pieza

FFSD0665A
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

650V 6A SIC SBD
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

FFSD0665A.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.75V @ 6A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

650V
Paquete del dispositivo

D-PAK (TO-252)
Velocidad

No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

0ns
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 175°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

52 Weeks
Tipo de diodo

Silicon Carbide Schottky
Descripción detallada

Diode Silicon Carbide Schottky 650V 11A (DC) Surface Mount D-PAK (TO-252)
Corriente - Fuga inversa a Vr

200µA @ 650V
Corriente - rectificada media (Io)

11A (DC)
Capacitancia Vr, F

361pF @ 1V, 100kHz

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