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6160830Imagen FFSH3065ADN-F155AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FFSH3065ADN-F155

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Especificaciones
  • Número de pieza
    FFSH3065ADN-F155
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    650V 30A SIC SBD
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    FFSH3065ADN-F155.pdf
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    650V
  • Paquete del dispositivo
    TO-247-3
  • Velocidad
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    0ns
  • Paquete / Cubierta
    TO-247-3
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Estado sin plomo
    Lead free
  • Tipo de diodo
    Silicon Carbide Schottky
  • Descripción detallada
    Diode Silicon Carbide Schottky 650V 23A (DC) Through Hole TO-247-3
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    200µA @ 650V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    23A (DC)
  • Capacitancia Vr, F
    887pF @ 1V, 100kHz

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