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Imagen FGA15N120ANTDTU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGA15N120ANTDTU

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Especificaciones

Número de pieza

FGA15N120ANTDTU
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IGBT 1200V 30A 186W TO3P
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FGA15N120ANTDTU.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

1200V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A
Condición de prueba

600V, 15A, 10 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C

15ns/160ns
Cambio de Energía

3mJ (on), 600µJ (off)
Paquete del dispositivo

TO-3P
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

330ns
Potencia - Max

186W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

NPT and Trench
puerta de carga

120nC
Descripción detallada

IGBT NPT and Trench 1200V 30A 186W Through Hole TO-3P
Corriente - Colector Pulsada (ICM)

45A
Corriente - colector (Ic) (Max)

30A

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