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FGD5T120SH

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Especificaciones
  • Número de pieza
    FGD5T120SH
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT 1200V 5A FS3 DPAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    FGD5T120SH.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    3.6V @ 15V, 5A
  • Condición de prueba
    600V, 5A, 30 Ohm, 15V
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    4.8ns/24.8ns
  • Cambio de Energía
    247µJ (on), 94µJ (off)
  • Paquete del dispositivo
    DPAK
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    69W
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Otros nombres
    FGD5T120SHCT
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    Trench Field Stop
  • puerta de carga
    6.7nC
  • Descripción detallada
    IGBT Trench Field Stop 1200V 10A 69W Surface Mount DPAK
  • Corriente - Colector Pulsada (ICM)
    12.5A
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    10A

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