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1715187Imagen FGH40T120SQDNL4AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGH40T120SQDNL4

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450+
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Especificaciones
  • Número de pieza
    FGH40T120SQDNL4
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT 1200V 40A UFS FOR SO
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    FGH40T120SQDNL4.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    1.95V @ 15V, 40A
  • Condición de prueba
    600V, 40A, 10 Ohm, 15V
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    46ns/220ns
  • Cambio de Energía
    1.4mJ (on), 1.1mJ (off)
  • Paquete del dispositivo
    TO-247-4L
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    166ns
  • Potencia - Max
    454W
  • Paquete / Cubierta
    TO-247-4
  • Otros nombres
    FGH40T120SQDNL4-ND
    FGH40T120SQDNL4OS
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    Not Applicable
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    20 Weeks
  • Estado sin plomo
    Lead free
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    Trench Field Stop
  • puerta de carga
    221nC
  • Descripción detallada
    IGBT Trench Field Stop 1200V 160A 454W Through Hole TO-247-4L
  • Corriente - Colector Pulsada (ICM)
    160A
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    160A

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Descripción: IGBT 650V 80A 268W TO-247-3

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