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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > FJE5304D
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3961651Imagen FJE5304DAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FJE5304D

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Especificaciones
  • Número de pieza
    FJE5304D
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN 400V 4A TO-126
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    FJE5304D.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    400V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    1.5V @ 500mA, 2.5A
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    TO-126-3
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    30W
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    TO-225AA, TO-126-3
  • Temperatura de funcionamiento
    -
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    -
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 4A 30W Through Hole TO-126-3
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    8 @ 2A, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100µA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    4A

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