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4365020Imagen FJI5603DTUAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FJI5603DTU

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Especificaciones
  • Número de pieza
    FJI5603DTU
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN 800V 3A I2PAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    FJI5603DTU.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    800V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    2.5V @ 200mA, 1A
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    I2PAK (TO-262)
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    100W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    7 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    5MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 800V 3A 5MHz 100W Through Hole I2PAK (TO-262)
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    20 @ 400mA, 3V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100µA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    3A

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