FJN3313RTA

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Especificaciones

Número de pieza

FJN3313RTA
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FJN3313RTA.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Tipo de transistor

NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo

TO-92-3
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

2.2 kOhms
Potencia - Max

300mW
embalaje

Tape & Box (TB)
Paquete / Cubierta

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

250MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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FJN3309RBU

Descripción: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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