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FJP13009H2

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Especificaciones
  • Número de pieza
    FJP13009H2
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN 400V 12A TO-220
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.FJP13009H2.pdf
    2.FJP13009H2.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    400V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    3V @ 3A, 12A
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    TO-220-3
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    100W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-3
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    4MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 12A 4MHz 100W Through Hole TO-220-3
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    15 @ 5A, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    -
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    12A
  • Número de pieza base
    FJP13009

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