FJP5027RHTU

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Especificaciones

Número de pieza

FJP5027RHTU
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN 800V 3A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.FJP5027RHTU.pdf
2.FJP5027RHTU.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

800V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

2V @ 300mA, 1.5A
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

TO-220-3
Serie

-
Potencia - Max

50W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

15MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 800V 3A 15MHz 50W Through Hole TO-220-3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 200mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

10µA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

3A
Número de pieza base

FJP5027

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