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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > FJPF13009H1TU

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Imagen FJPF13009H1TU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FJPF13009H1TU

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Especificaciones

Número de pieza

FJPF13009H1TU
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN 400V 12A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FJPF13009H1TU.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

400V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

3V @ 3A, 12A
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

TO-220F-3 (Y-Forming)
Serie

-
Potencia - Max

50W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

4MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 12A 4MHz 50W Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

6 @ 8A, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

-
Corriente - colector (Ic) (Max)

12A
Número de pieza base

FJPF13009

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