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Casa > Productos > Aisladores > Optoisolators-transistor, salida fotovoltaica > FODM121DR2V

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Imagen FODM121DR2V

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FODM121DR2V

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Especificaciones

Número de pieza

FODM121DR2V
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FODM121DR2V.pdf
Salida de voltaje - (Max)

80V
Voltaje - Aislamiento

3750Vrms
Voltaje hacia delante (Vf) (típico)

1.3V (Max)
VCE de saturación (Max)

400mV
Tiempo de encendido / apagado (típico)

-
Paquete del dispositivo

4-Mini-Flat
Serie

-
Tiempo de subida / bajada (típico)

3µs, 3µs
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

4-SMD, Gull Wing
Tipo de salida

Transistor
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 110°C
número de canales

1
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

DC
Descripción detallada

Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-Mini-Flat
Relación de transferencia de corriente (mín)

50% @ 5mA
Relación de transferencia de corriente (máx)

600% @ 5mA
Corriente - Salida / Canal

80mA
Corriente - Avance DC (Si) (Máx.)

50mA

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