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4326440Imagen FP7G75US60AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FP7G75US60

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Especificaciones
  • Número de pieza
    FP7G75US60
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MODULE IGBT 600V 75A EPM7
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    FP7G75US60.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.8V @ 15V, 75A
  • Paquete del dispositivo
    EPM7
  • Serie
    Power-SPM™
  • Potencia - Max
    310W
  • Paquete / Cubierta
    EPM7
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 125°C (TJ)
  • termistor NTC
    No
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce
    4.515nF @ 30V
  • Entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    -
  • Descripción detallada
    IGBT Module Half Bridge 600V 75A 310W Chassis Mount EPM7
  • Corriente - corte del colector (Max)
    250µA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    75A
  • Configuración
    Half Bridge

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